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產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiC? 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:SMD緊湊型封裝SiC MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案
封裝:QFN-21電話咨詢:86-755-83294757
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