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規(guī)格型號(hào)
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫(kù)存
購(gòu)買(mǎi)數(shù)量
單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明:帶二極管的 1200V/75A IGBT
封裝:T2產(chǎn)品說(shuō)明:不帶二極管的 1200V/17mΩ SIC Mosfet
封裝:T2產(chǎn)品說(shuō)明:650V/50A 帶二極管的 IGBT
封裝:T2產(chǎn)品說(shuō)明:750V/660A 六單元 IGBT模塊,P6封裝
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:750V 660A IGBT 功率模塊
封裝:P7產(chǎn)品說(shuō)明:750V/820A 六單元 IGBT模塊,P6封裝
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:750V 560A IGBT 功率模塊
封裝:P7產(chǎn)品說(shuō)明:750V 560A IGBT 功率模塊
封裝:P7產(chǎn)品說(shuō)明:750V/660A 六單元 IGBT模塊,P6封裝
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:N6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6產(chǎn)品說(shuō)明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模塊
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