商品名稱：NCV6324CMTAAWTBG
數(shù)據(jù)手冊：
NCV6324CMTAAWTBG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-WFDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
NCV6324CMTAAWTBG 是一個同步降壓轉(zhuǎn)換器系列，經(jīng)過優(yōu)化，可為由單節(jié)鋰離子電池或三節(jié)堿性/鎳鎘/鎳氫電池供電的便攜式應(yīng)用的不同子系統(tǒng)供電。這些器件可通過外部可調(diào)電壓提供高達 2 A 的電流。
特性
2.5 V 至 5.5 V 輸入電壓范圍
外部可調(diào)電壓
高達 2 A 輸出電流
3 MHz 開關(guān)頻率
同步整流
自動省電或外部模式選擇
使能輸入
電源良好輸出選項
軟啟動
過電流保護
禁用時主動放電
熱關(guān)斷保護
應(yīng)用
手機、智能手機和 PDA
便攜式媒體播放器
靜態(tài)數(shù)碼相機
無線和 DSL 調(diào)制解調(diào)器
USB 供電設(shè)備
負載點
游戲和娛樂系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 1V（3.3V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 3V（3.6V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標(biāo)準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標(biāo)準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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