商品名稱:NCV-RSL10-101Q48-AVG
數(shù)據(jù)手冊:NCV-RSL10-101Q48-AVG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NCV-RSL10-101Q48-AVG 為汽車行業(yè)帶來了業(yè)內(nèi)功耗最低的藍(lán)牙低能耗技術(shù)。NCV-RSL10-101Q48-AVG 可幫助實現(xiàn)先進(jìn)的新功能,包括使用手柄或智能手機(jī)進(jìn)行無鑰匙進(jìn)入、主動安全和診斷警報以及增強(qiáng)型信息娛樂控制,同時最大限度地提高能效。
功能特點
汽車就緒
通過 AEC-Q100 2 級、ETSI、FCC 認(rèn)證
工作溫度范圍(-40°C 至 +105°C)
先進(jìn)的無線功能
通過藍(lán)牙 5.2 認(rèn)證,具有 LE 2-Mbit PHY(高速),并向后兼容和支持早期的藍(lán)牙低功耗規(guī)范
發(fā)射功率: -17 dBm 至 +6 dBm
接收靈敏度(藍(lán)牙低功耗模式,1 Mbps): -94 dBm
增強(qiáng)的安全性
內(nèi)置 AES128 加密加速器
業(yè)界最低的功耗
0 dBm 時的發(fā)送峰值(物理層):4.3 mA(3.3 V 電源)
接收峰值(PHY):2.7 mA(3.3 V 電源)
深度睡眠,I/O 喚醒(3.3 V 電源): 25 nA
深度睡眠,激活外部 32 kHz 振蕩器(3.3 V 電源): 40 nA
可靠的裝配
7x7 mm 可濕性鍍片 QFNW48 封裝
高集成度片上系統(tǒng) (SoC)
384 kB 閃存
靈活的雙核架構(gòu)(Arm(R) Cortex-M3 處理器、 32 位 DSP)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)湫阅?。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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