商品名稱:SGT120R65AL
數(shù)據(jù)手冊:SGT120R65AL.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SGT120R65AL 是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶體管,采用了成熟的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件具有極低的傳導(dǎo)損耗、高電流能力和超快的開關(guān)操作,從而實(shí)現(xiàn)了高功率密度和無與倫比的能效表現(xiàn)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):15A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):120 毫歐 @ 5A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.6V @ 12mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):3 nC @ 6 V
Vgs(最大值):+6V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):125 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):192W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
產(chǎn)品特性
增強(qiáng)型常閉晶體管
極高的開關(guān)速度
高功率管理能力
極低電容
開爾文源極墊,可實(shí)現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動
零反向恢復(fù)電荷
應(yīng)用
平板電腦、筆記本電腦和 AIO 適配器
USB Type-C PD 適配器和快速充電器
無線充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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