商品名稱:NTH4L060N065SC1
數(shù)據(jù)手冊:NTH4L060N065SC1.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。MOSFET 具有低導通電阻,采用緊湊的芯片尺寸,可確保低電容和低柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):47A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):70 毫歐 @ 20A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 6.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):74 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1473 pF @ 325 V
功率耗散(最大值):176W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
● 開關(guān)模式電源 (SMPS)
● 太陽能逆變器
● 不間斷電源 (UPS)
● 量存儲能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
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