商品名稱:1ED3491MU12MXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):1ED3491MU12MXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:16-BSSOP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
1ED3491MU12MXUMA1由電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路組成,采用小型 PG-DSO-16 封裝,爬電距離和間隙均為 8 毫米。PG-DSO-16 封裝中的電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路,具有 8 毫米的大爬電空間和間隙。柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路可提供典型的峰值輸出電流分別為 3 A、6 A 和 9 A,可調(diào)節(jié)的控制和保護(hù)功能簡(jiǎn)化了高可靠性系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。
特性
● 650 V、1200 V、1700 V、2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET
● 40 V 絕對(duì)最大輸出電源電壓
● ±3 A、±6 A 和 ±9 A 的典型匯入和匯出峰值輸出電流
● 獨(dú)立的源輸出和匯輸出,用于硬開關(guān)和有源米勒鉗位/鉗位驅(qū)動(dòng)器
● 用于從輸入端進(jìn)行參數(shù)配置的調(diào)節(jié)引腳
● 精確的 VCEsat 檢測(cè)(DESAT),帶故障輸出和可調(diào)濾波時(shí)間及前沿消隱時(shí)間
● ADJB 引腳上帶有電阻器
● 通過(guò) ADJA 引腳上的電阻器,可在檢測(cè)到失飽和后調(diào)節(jié) IGBT 軟關(guān)斷
● 可在高達(dá) 125 °C 的高溫環(huán)境下運(yùn)行,160 °C 時(shí)過(guò)溫關(guān)斷(±10 °C)
應(yīng)用
● 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 - 緊湊型、標(biāo)準(zhǔn)型、高級(jí)伺服驅(qū)動(dòng)器
● 太陽(yáng)能逆變器
● UPS 系統(tǒng)
● 焊接
● 商用車和農(nóng)用車 (CAV)
● 商用空調(diào) (CAC)
● 高壓隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
● 隔離式開關(guān)電源 (SMPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
IAUCN08S7N016 是一款采用 Infineon 領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體技術(shù)構(gòu)建的OptiMOS? 7 80V 汽車 MOSFET。該產(chǎn)品采用創(chuàng)新的頂部冷卻 SSO10T 5x7 mm2 SMD 封裝。IAUCN08S7N016專為滿足要求苛刻的汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(…1EDI3025AS
EiceDRIVER? 柵極驅(qū)動(dòng)器 1EDI3025AS 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的高壓 IGBT 驅(qū)動(dòng)器,采用無(wú)芯變壓器 (CT) 技術(shù)實(shí)現(xiàn) 8 kV 電氣隔離。電話咨詢:86-755-83294757
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