商品名稱:IAUZ40N06S5L050ATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IAUZ40N06S5L050ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSDSON-8-33
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IAUZ40N06S5L050ATMA1 60V汽車級OptiMOS?-5 MOSFET器件具有低漏源導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和低柵極電容,可最大限度地降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗。應(yīng)用范圍包括通用汽車應(yīng)用、直流-直流系統(tǒng)、LED照明、無線充電、ADAS、CAV (24V)應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):90A(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 29μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):36.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2500 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):71W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-33
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進的開關(guān)性能、更低的損耗和增強的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強力防止單極柵極驅(qū)動的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關(guān)拓撲中提供出色的性能。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動電壓(最…IRFPW4468PBF
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