商品名稱:6ED2230S12TXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):6ED2230S12TXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-DSO-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
6ED2230S12TXUMA1是一款高壓、高速 IGBT,具有三個(gè)獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道,適用于三相應(yīng)用。專有的 HVIC 和閂鎖免疫 CMOS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了堅(jiān)固耐用的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 TTL 輸出兼容,邏輯電壓低至 3.3 V。過流保護(hù) (OCP) 功能可終止所有六個(gè)輸出,也可從該電阻器獲得。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動(dòng)配置:高壓側(cè)或低壓側(cè)
通道類型:3 相
驅(qū)動(dòng)器數(shù):6
柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:10V ~ 20V
邏輯電壓 - VIL,VIH:0.7V,2.3V
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):350mA,650mA
輸入類型:反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):1200 V
上升/下降時(shí)間(典型值):35ns,20ns
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬),24 引線
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-24
應(yīng)用
● 商用和輕型商用空調(diào);CAC、HVAC
● 工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、伺服驅(qū)動(dòng)器
● 用于泵、風(fēng)機(jī)電機(jī)控制的嵌入式變頻器
● 熱泵
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H功率器件是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代碳化硅技術(shù)產(chǎn)品,適用于高效電力電子設(shè)計(jì)。IMDQ75R004M2H具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):357A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…電話咨詢:86-755-83294757
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