商品名稱:2EDL05N06PJXUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):2EDL05N06PJXUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:14-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
2EDL05N06PJXUMA1是 600-V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器系列,采用的英飛凌薄膜-SOI 技術(shù)具有出色的堅(jiān)固性和抗噪性。施密特觸發(fā)器邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 LSTTL 邏輯兼容,電壓低至 3.3 V。輸出驅(qū)動(dòng)器采用高脈沖電流緩沖器級(jí),旨在將驅(qū)動(dòng)器的交叉?zhèn)鲗?dǎo)降至最低。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)配置中的 N 溝道功率 MOSFET 或 IGBT工作電壓高達(dá) 600 V。此外,離線箝位功能還能在不提供集成電路時(shí),通過(guò)浮動(dòng)?xùn)艠O條件為寄生導(dǎo)通提供固有保護(hù)。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動(dòng)配置:半橋
通道類型:獨(dú)立式
驅(qū)動(dòng)器數(shù):2
柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:10V ~ 25V
邏輯電壓 - VIL,VIH:1.1V,1.7V
輸入類型:非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):600 V
上升/下降時(shí)間(典型值):48ns,24ns
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-14-2
應(yīng)用
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、通用變頻器
● 制冷壓縮機(jī)、家用電器
● 電信和照明用離線交直流電源中的半橋和全橋轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開(kāi)關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動(dòng)的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級(jí)碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場(chǎng)景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…IAUCN08S7N016
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