商品名稱:1EDI2002ASXUMA2
數(shù)據(jù)手冊:1EDI2002ASXUMA2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:36-BSSOP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
1EDI2002ASXUMA2英飛凌科技單通道EiceDRIVER? MOSFET柵極驅(qū)動器IC是連接控制IC以及功能強(qiáng)大的MOSFET和GaN開關(guān)器件的關(guān)鍵所在。這些柵極驅(qū)動器IC可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級高效率,并具有出色的功率密度和始終如一的系統(tǒng)穩(wěn)健性。
功能特點(diǎn)
● 單通道 IGBT 驅(qū)動器
● 片上電絕緣(高達(dá) 6 kV)
● 支持 600 V 和 1200 V IGBT 技術(shù)
● 傳播延遲低,PWM 失真最小
● 支持 5 V 邏輯電平(初級側(cè))
● 16 位標(biāo)準(zhǔn) SPI 接口(最高 2 MBaud),支持菊花鏈(主側(cè))
● 啟用輸入引腳(主側(cè))
● 用于關(guān)鍵信號的偽差分輸入(主端)
● 上電復(fù)位引腳(主端)
應(yīng)用
● 用于汽車混合動力電動汽車(HEV)和電動汽車(EV)的逆變器
● 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
● 工業(yè)驅(qū)動器
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描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H功率器件是(Infineon)推出的 CoolSiC? MOSFET ,屬于第二代碳化硅技術(shù)產(chǎn)品,適用于高效電力電子設(shè)計(jì)。IMDQ75R004M2H具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):357A(Tc)驅(qū)動電壓(…AIMDQ75R016M2H
AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。關(guān)鍵參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)…AIMDQ75R025M2H
AIMDQ75R025M2H是(Infineon)推出的一款750V G2碳化硅MOSFET,具有高效率,高可靠性、能強(qiáng)力防止單極柵極驅(qū)動的寄生導(dǎo)通特性。該MOSFET在圖騰柱、ANPC、Vienna整流器和FCC硬開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾男阅?。技術(shù)規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):…AIMDQ75R060M2H
AIMDQ75R060M2H是(Infineon)推出的 CoolSiC? 系列汽車級碳化硅MOSFET ,屬于750V第二代產(chǎn)品,采用Q-DPAK頂側(cè)散熱封裝。以下是其核心參數(shù)與適用場景:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):840 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)驅(qū)動電壓(最…IRFPW4468PBF
IRFPW4468PBF是(Infineon)推出的 HEXFET 功率 MOSFET ,屬于 StrongIRFET? 系列,采用 TO-247 封裝。以下是其核心參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):100 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),195A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…電話咨詢:86-755-83294757
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