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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:AIMW120R035M1HXKSA1

商品名稱:AIMW120R035M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:AIMW120R035M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIMW120R035M1HXKSA1
封裝
TO-247-3
描述
通孔 N 通道 1200 V 52A(Tc) 228W(Tc) PG-TO247-3-41

產(chǎn)品描述

AIMW120R035M1HXKSA1提供52A的漏極電流 (ID) 和35mΩ的導(dǎo)通電阻,Infineon車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET專為車載充電器/PFC和升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計。Infineon Technologies CoolSiC?車規(guī)級1200V碳化硅溝槽型MOSFET具有更高的功率密度、更高的頻率和更高的效率。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):52A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 25A,18V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.7V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):59 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+23V,-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2130 pF @ 800 V

功率耗散(最大值):228W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3-41

封裝/外殼:TO-247-3


應(yīng)用

● 車載充電器/PFC

● 升壓器/DC-DC轉(zhuǎn)換器

● 輔助逆變器

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