商品名稱:NTMFD024N06CT1G
數(shù)據(jù)手冊:NTMFD024N06CT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFD024N06CT1G N溝道MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝(結(jié)合屏蔽柵極技術(shù))生產(chǎn)的60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關(guān)性能。
產(chǎn)品屬性
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
配置 :2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss): 60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 8A(Ta),24A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 22.6 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 4V @ 20μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 5.7nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 333pF @ 30V
功率 - 最大值: 3.1W(Ta),28W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝: 8-DFN(5x6)雙標(biāo)記(SO8FL-雙通道)
典型應(yīng)用
? 電動工具、電池驅(qū)動真空吸塵器
? 無人機(jī)/無人駕駛飛機(jī)、材料處理
? BMS/ 存儲、家庭自動化
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。電話咨詢:86-755-83294757
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