商品名稱:BGA9H1BN6E6327XTSA1
數(shù)據(jù)手冊:BGA9H1BN6E6327XTSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TSNP-6-10
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BGA9H1BN6E6327XTSA1專為 4G 和 5G 應用而設計,覆蓋 2.3 至 2.7 GHz 的 3GPP 頻段(針對 n41 頻段進行了優(yōu)化)。由于低噪聲放大器具有高增益和超低噪聲系數(shù)的性能,與傳統(tǒng)低噪聲放大器相比,系統(tǒng)靈敏度顯著提高。GPIO 接口可直接控制多種工作模式。
產品屬性
制造商: Infineon
產品種類: 射頻放大器
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSNP-6-10
類型: General Purpose Amplifiers
技術: Si
工作頻率: 2.3 GHz to 2.7 GHz
P1dB - 壓縮點: - 17 dBm
增益: 20.3 dB
工作電源電壓: 1.1 V to 3.3 V
NF—噪聲系數(shù): 0.6 dB
OIP3 - 三階截點: - 7 dBm
工作電源電流: 2.2 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。該設備具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應用包括開關模式電源 (SMPS)、電機驅動器、電池供電設…IPT65R025CM8
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