商品名稱:NTMTSC1D6N10MCTXG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMTSC1D6N10MCTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-TDFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMTSC1D6N10MCTXG 是 100V、267A 功率 MOSFET 單 N 溝道晶體管,8-TDFNW (8.3x8.4)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),267A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.7 毫歐 @ 90A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 650μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):106 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):7630 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):5.1W(Ta),291W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
供應(yīng)商器件封裝:8-TDFNW(8.3x8.4)
封裝/外殼:8-PowerTDFN
產(chǎn)品特性
小尺寸(8x8 毫米),適合緊湊型設(shè)計(jì)
低 RDS(on),將傳導(dǎo)損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低
新型功率 88 雙冷卻封裝
這些器件無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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