商品名稱:IST019N08NM5
數(shù)據(jù)手冊:IST019N08NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-5-1
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IST019N08NM5 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80 V 采用 sTOLL 封裝,具有 1.9 mOhm 的低 RDS(on)和 290 A 的高電流能力。它具有英飛凌著名的堅固工業(yè)封裝質量水平的優(yōu)勢,是電池管理系統(tǒng)、輕型電動汽車和工業(yè)機器人各種性能的理想解決方案。
特性
已在 JEDEC 注冊
7x8 mm2 小尺寸
290 A 大電流能力
無引線封裝,封裝電阻低,雜散電感最小
最新一代技術 OptiMOS? 5
RDS(on) 1.9 mOhm
引線端頭檢測功能(自動光學檢測能力)
優(yōu)勢
高功率密度和電流密度
高熱容量
降低傳導損耗
優(yōu)化開關行為
與傳統(tǒng) DPAK/D2PAK 相比,外形尺寸更小
行業(yè)標準封裝(JEDEC MO-319A)
應用
電池供電電機應用
電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動汽車
工業(yè)機器人
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同類最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封裝。該產(chǎn)品滿足從低到高開關頻率的廣泛應用。ISC033N03LF2S主要具備以下參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C …ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其關鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設計靈活性。以下是其核心特性:針對各種應用進行了優(yōu)化N溝…電話咨詢:86-755-83294757
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