商品名稱:IPZ65R065C7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPZ65R065C7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IPZ65R065C7 在技術(shù)上邁出了革命性的一步,提供了世界上最低的 RDS(on)/封裝,并且由于開關(guān)損耗低,在全負(fù)載范圍內(nèi)提高了效率。
特點(diǎn)
650V 電壓
革命性的同類最佳 R DS(on)/封裝
輸出電容中存儲(chǔ)的能量減少(Eoss)
更低的柵極電荷 Qg
通過(guò)使用更小的封裝或減少部件來(lái)節(jié)省空間
12 年的超結(jié)技術(shù)制造經(jīng)驗(yàn)
優(yōu)勢(shì)
提高安全系數(shù),適用于 SMPS 和太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用
最低傳導(dǎo)損耗/封裝
開關(guān)損耗低
更高的輕載效率
功率密度更高
出色的 CoolMOS? 質(zhì)量
應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽(yáng)能
個(gè)人電腦電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同類最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封裝。該產(chǎn)品滿足從低到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。ISC033N03LF2S主要具備以下參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C …ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有 72 A 電流,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET…ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是(Infineon)推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A(Ta),…電話咨詢:86-755-83294757
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