商品名稱:IKQ150N65EH7
數(shù)據(jù)手冊:IKQ150N65EH7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKQ150N65EH7 采用TO247-3封裝的650V、150A TrenchStop?IGBT7 H7分立式硬開關(guān)器件專為滿足綠色高效能源應(yīng)用的需求而開發(fā),同時在前代產(chǎn)品的基礎(chǔ)上進(jìn)行了重大改進(jìn)。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝/箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 160 A
Pd-功率耗散: 621 W
最小工作溫度: - 40°C
最大工作溫度: + 175°C
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…ISC012N03LF2S
ISC012N03LF2S是(Infineon)推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,其具有270 A電流,主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其主要規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):…ISC033N03LF2S
ISC033N03LF2S器件是一款108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有3.3 mOhm的同類最佳RDS(on),采用SuperSO8 5x6封裝。該產(chǎn)品滿足從低到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。ISC033N03LF2S主要具備以下參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C …電話咨詢:86-755-83294757
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