商品名稱:IKB30N65EH5
數(shù)據(jù)手冊(cè):IKB30N65EH5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO263-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKB30N65EH5 采用 D2Pak(TO263)封裝的 650V 高速開關(guān) TRENCHSTOP? 5 IGBT,它采用全額定電流 Rapid 1 反并聯(lián)二極管,在硬開關(guān)應(yīng)用方面提供無與倫比的效率,以滿足市場(chǎng)未來對(duì)高效率的需求。
規(guī)格
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):55 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):90 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值:188 W
開關(guān)能量:870μJ(開),300μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:70 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:24ns/159ns
測(cè)試條件:400V,30A,22 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):75 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
基本產(chǎn)品編號(hào):IKB30N65
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…S25FL128SDSMFBG13
S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設(shè)備通過 SPI 接口連接至主機(jī)系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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