商品名稱:IKWH75N65EH7
數(shù)據(jù)手冊:IKWH75N65EH7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IKWH75N65EH7 硬開關(guān)650V TrenchStop?IGBT7 H7分立式器件采用TO-247-3高爬電間隙(HCC)封裝技術(shù),旨在滿足綠色高效能源應用的需求,同時在前代產(chǎn)品的基礎上進行了重大改進。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 341 W
最小工作溫度: - 40°C
最大工作溫度: + 175°C
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設備通過 SPI 接口連接至主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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