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IXBF20N360 3600V反向導通 (BiMOSFET?) IGBT將MOSFET和IGBT的優(yōu)勢相結合。該高壓器件的飽和電壓和內置二極管的正向電壓降均具有正電壓溫度系數(shù)，因此非常適合用于并聯(lián)運行。

規(guī)格

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：45 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：220 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A

功率 - 最大值：230 W

開關能量：15.5mJ（開），4.3mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：43 nC

25°C 時 Td（開/關）值：18ns/238ns

測試條件：1500V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：1.7 μs

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：i4-Pac?-5（3 引線）

供應商器件封裝：ISOPLUS i4-PAC?

基本產品編號：IXBF20

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