商品名稱:SAK-TC277T-64F200S?DC
數(shù)據(jù)手冊:SAK-TC277T-64F200S DC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:292-LFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
SAK-TC277T-64F200S DC三個高性能32位超標量TriCore V1.6.1 CPU,在200 MHz的全汽車溫度范圍內(nèi)運行,封裝為PG-LFBGA-292-6。
型號:SAK-TC277T-64F200S DC
封裝:LFBGA-292
類型:32位三核微控制器IC
產(chǎn)品規(guī)格
內(nèi)核規(guī)格 32 位三核
速度 200MHz
程序存儲容量 4MB(4M x 8)
程序存儲器類型 閃存
EEPROM 容量 64K x 8
RAM 大小 472K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 3V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 A/D 60x12b,6 x 三角積分
工作溫度 -40°C ~ 125°C(TA)
產(chǎn)品特征
500 k循環(huán)時的64 KB EEPROM
5xCAN,包括數(shù)據(jù)速率增強型CAN FD
傳感器接口:10xSENT、3xPSI5、1xPSI5S
LFBGA-292封裝(LFBGA 0.8 mm間距)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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