商品名稱:SAK-TC299T-128F300S BC
數(shù)據(jù)手冊:SAK-TC299T-128F300S BC.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:516-LFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
SAK-TC299T-128F300S BC 集成電路芯片 LFBGA516 32位三核微控制器IC 8MB
產品描述
SAK-TC299T-128F300S BC多片上存儲器,高達728KB+2MB RAM,帶ECC保護,用于雷達/相機圖像存儲。傳感器接口為15xSENT、5xPSI5、1xPSI5S。
產品規(guī)格
內核規(guī)格 32 位三核
速度 300MHz
I/O 數(shù) 263
程序存儲容量 8MB(8M x 8)
EEPROM 容量 384K x 8
RAM 大小 728K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 3.3V,5V
工作溫度 -40°C ~ 125°C(TA)
產品特征
卓越的實時性能
128個DMA通道
多片上存儲器
傳感器接口:15xSENT、5xPSI5、1xPSI5S
用于檢查數(shù)字I/O的硬件I/O監(jiān)視器(IOM)
最先進的連接:以太網(wǎng)100Mbit、2xFlexRay、4xASCLIN、6xQSPI、2xI2C、15xSENT、3xMSC、1xHSSL、1xI2S仿真
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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