商品名稱：CBB021M12FM3
數(shù)據(jù)手冊：
CBB021M12FM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
CBB021M12FM3碳化硅電源模塊有半橋、全橋和六組（三相）配置，均可選擇預涂HoneywellTM導熱界面材料 (TIM)。這些模塊適合用于中等功率（10kW至100+kW）的設計，占位面積小，支持開發(fā)更緊湊、可擴展的解決方案。這些封裝是現(xiàn)有硅基模塊的引腳兼容替代品，方便隨時進行系統(tǒng)更新。與標準熱潤滑脂相比，選擇帶有預涂TIM的WolfPACK模塊可將結溫 (Tj) 降低高達40°C或將電流增加高達60%。
產品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：4 N 溝道（全橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：105A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14 毫歐 @ 100A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 35mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：324nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10300pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應用
● 直流-直流轉換器
● 電動汽車充電器
● 高效轉換器/逆變器
● 可再生能源
● 智能電網/并網分布式發(fā)電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600（I 類材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…
CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼，可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…
C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅…
C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。C3M0160120D…電話咨詢：86-755-83294757
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