商品名稱：WAS350M12BM3
數(shù)據(jù)手冊：
WAS350M12BM3.pdf
品牌：Wolfspeed
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
WAS350M12BM3 Wolfspeed 62mm全碳化硅（SiC）半橋模塊將碳化硅的系統(tǒng)優(yōu)勢與穩(wěn)健的低電感布局相結(jié)合。得益于SiC的低開關(guān)和導(dǎo)通損耗，半橋模塊提高了系統(tǒng)效率。這些電源模塊采用低電感內(nèi)部布局，可最大限度地利用電壓，并最大限度地減少過沖和振鈴。該半橋模塊配有用于導(dǎo)熱的銅基板，其氮化鋁和氮化硅絕緣體可最大限度地降低熱阻。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：417A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.2 毫歐 @ 350A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 85mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：844nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25700pF @ 800V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
應(yīng)用
● 感應(yīng)加熱
● 電機(jī)驅(qū)動
● 可再生能源
● 鐵路輔助和牽引
● 電動汽車快速充電
● UPS 和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝，具有獨(dú)立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認(rèn)證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
