商品名稱:BSM180C12P2E202
數(shù)據(jù)手冊:BSM180C12P2E202.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSM180C12P2E202由羅姆公司生產(chǎn)的SiC-DMOSFET和SiC-SBD構(gòu)成,是2in1的SiC功率模塊。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 204A(Tc)
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4V @ 35.2mA
Vgs(最大值): +22V,-6V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 20000 pF @ 10 V
功率耗散(最大值): 1360W(Tc)
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
供應(yīng)商器件封裝: 模塊
封裝/外殼: 模塊
應(yīng)用
? 轉(zhuǎn)換器
? 光伏、風(fēng)力發(fā)電
? 感應(yīng)加熱設(shè)備
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、轉(zhuǎn)換器、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和IH設(shè)備等應(yīng)用。BSM600D12P4G103具有以下參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 N-通道(雙)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時(shí)電流 - 連續(xù)…BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅(qū)動(dòng)器。RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2EHRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
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