商品名稱：SAL-TC224L-16F133F AC
數(shù)據(jù)手冊：
SAL-TC224L-16F133F?AC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：144-LQFP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：5000 件
133MHz 集成電路芯片 SAL-TC224L-16F133F AC LQFP144 微控制器 IC
SAL-TC224L-16F133F AC的產(chǎn)品說明
SAL-TC224L-16F133F AC 多樣化的鎖存器核心，具有時鐘延遲，單電壓供電為3.3V，最大1MB的Flash，采用TQFP-144封裝。
SAL-TC224L-16F133F AC的特點
創(chuàng)新的單電源概念，實現(xiàn)了一流的功耗和成本節(jié)約
多樣化的鎖定結(jié)構(gòu)，減少ASIL-D系統(tǒng)的開發(fā)工作
高度集成，降低了復(fù)雜性，并大大節(jié)省了成本
SAL-TC224L-16F133F AC的應(yīng)用
機箱領(lǐng)域的控制
像素照明
全功能傳感器融合
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB（4M x 8） 閃存 PG-LFBGA-292-6
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB（8K x 8） 閃存 20-VQFN（3x3）
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結(jié)溫和外殼溫度，從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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