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功率 MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V 采用 PQFN 5x6 mm2 降源封裝。該器件具有 0.45 mΩ 的超低 RDS(ON)，并具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。這使得系統(tǒng)能效更高、功率密度更大，適用于各種終端應(yīng)用，如電池供電工具、SMPS、電信電源和高性能計(jì)算（如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能服務(wù)器群）中的中間總線轉(zhuǎn)換。

特點(diǎn)

? N 通道、對(duì)數(shù)電平

? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS（導(dǎo)通）

? 超強(qiáng)耐熱性

? 通過 100% 老化測(cè)試

? 無鉛鍍層；符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

? 無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

IQDH45N04LM6CG產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TTFN-9

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 637 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V

Qg-柵極電荷: 62 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

系列: OptiMOS 6

配置: Dual

下降時(shí)間: 14 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 6 ns

工廠包裝數(shù)量:  5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9 ns

潛在應(yīng)用

服務(wù)器

數(shù)據(jù)通信

高性能計(jì)算

電信

SMPS

折疊

驅(qū)動(dòng)器

電池供電工具

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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