商品名稱:S27KL0643GABHV023
數(shù)據(jù)手冊(cè):S27KL0643GABHV023.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
S27KL0643GABHV023 64MBit 3.0 V 工業(yè) (105°C) xSPI(八位)HYPERRAM Gen 2.0,24 FBGA 封裝
產(chǎn)品描述
S27KL0643GABHV023 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,采用 xSPI(八進(jìn)制)接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) xSPI 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列上的刷新操作。
產(chǎn)品特性
- 接口
- xSPI(八進(jìn)制)接口
- 支持 1.8 V / 3.0 V 接口
- 性能、功耗和封裝
- 200 MHz 最大時(shí)鐘頻率
- DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿傳輸數(shù)據(jù)
- 數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400 MBps(3,200 Mbps)
- 可配置的突發(fā)特性
- 混合選項(xiàng)--一個(gè)封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
- 可配置的輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
- 電源模式
- 混合睡眠模式
- 深度掉電
- 封裝:24 球 FBGA
- 工作溫度范圍
- 工業(yè) (I): -40°C至+85°C
- 工業(yè)增強(qiáng)型 (V): -40°C至+105°C
- 汽車,AEC-Q100 3 級(jí):-40°C 至 +85°C
- 汽車,AEC-Q100 2 級(jí):-40°C 至 +105°C
- 技術(shù):38 納米 DRAM
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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