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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IMZA65R057M1H

商品名稱:IMZA65R057M1H

數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZA65R057M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-TO247-4-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMZA65R057M1H
封裝
PG-TO247-4-3
描述
通孔 N 通道 650 V 35A(Tc) 133W(Tc) PG-TO247-4-3

產(chǎn)品描述

IMZA65R057M1H 是在英飛凌 20 多年來開發(fā)的固體硅碳化硅技術(shù)基礎(chǔ)上制造的。利用寬帶隙 SiC 材料的特性,650VCoolSiC?MOSFET 充分利用了寬帶隙 SiC 材料的特性,在性能、可靠性和易熔性方面實(shí)現(xiàn)了獨(dú)特的組合。它適用于高溫和高濕度操作,可實(shí)現(xiàn)最簡(jiǎn)化、最經(jīng)濟(jì)、最高系統(tǒng)效率的部署。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):74 毫歐 @ 16.7A,18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+20V,-2V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):930 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):133W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-3


應(yīng)用

● SMPS

● UPS(不間斷電源)

● 太陽能光伏逆變器

● 電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

● 儲(chǔ)能和電池信息

● 類放大器

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

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NVMFD5C466NWFT1G

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5-DFNW

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NVMFS5C442NLAFT1G

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NVMFS5C468NLAFT1G

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5-DFN

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單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

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8-WDFN

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NVTFS5C673NLTAG

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NVTFS5C471NLWFTAG

ON

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NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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