商品名稱:IRL100HS121
數(shù)據(jù)手冊:IRL100HS121.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:6-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IRL100HS121功率MOSFET的設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算領(lǐng)域中的服務器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應用。它們還可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):42 毫歐 @ 6.7A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 10μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):5.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):440 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):11.5W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:6-PQFN(2x2)(DFN2020)
封裝/外殼:6-PowerVDFN
應用
● 無線充電
● 適配器
● 電信
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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