商品名稱:LV8907UWR2G
數(shù)據(jù)手冊:LV8907UWR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3690 件
LV8907UWR2G是一款高性能、無傳感器三相 BLDC 電機控制器,帶有集成的門極驅動器,用于驅動外部 N-MOSFET。片上兩級電荷泵提供了所需的門極電流,適用于多種超低 RDS(ON) 型外部 N-MOSFET。該器件提供了多種系統(tǒng)保護和診斷功能,如過電流、過電壓、短路、欠電壓、高溫等。它支持開環(huán)以及閉環(huán)速度控制,帶有用戶可配置啟動、速度設置和比例/積分 (PI) 控制系數(shù),因此適用于多種電機和負載組合。LV8907 具有內(nèi)置的線性穩(wěn)壓器用于為外部電路、監(jiān)控計時器和局域互聯(lián)網(wǎng) (LIN) 收發(fā)器供電,提供了最小的系統(tǒng)解決方案占位。提供了 SPI 接口進行參數(shù)設置和系統(tǒng)運行狀況監(jiān)控。LV8907 工作結溫容限可達 175°C,具有可電子兼容 LIN 的控制信號(PWM 和 Enable),是理想的獨立汽車 BLDC 電機控制系統(tǒng)解決方案。
特性
工作結溫高達 175°C
工作電壓范圍為 5.5 V 至 20 V,容差范圍為 4.5 V 至 40 V
嵌入式專有無傳感器換向控制
內(nèi)置 LIN 收發(fā)器和看門狗定時器
用于實時參數(shù)化和診斷的 SPI 接口
各種系統(tǒng)保護功能,包括:
? 使用可配置死區(qū)時間的擊穿保護
? 漏極-源極短路檢測
? 逐周期電流限制和過流關斷
? 過壓和欠壓關斷
? 過溫警告和關斷
? 輸入 PWM 故障檢測
可配置速度設置和 PI 控制系數(shù)
支持開環(huán)和閉環(huán)速度控制
集成 5 V/3.3 V 穩(wěn)壓器輸出,用于外部電路
用于驅動六個 N-MOSFET 的集成式前置放大器
兩級充電泵,可實現(xiàn)連續(xù) 100% 占空比運行
通過 AEC-Q100 認證和 PPAP 認證
應用
泵(燃油泵、機油泵、冷卻液泵、液壓控制泵、真空泵...)
風扇和鼓風機(暖通空調、散熱器、冷凝器、電池、逆變器、充電器...)
壓縮機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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