商品名稱:FF300R12ME7B11BPSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF300R12ME7B11BPSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
說(shuō)明:FF300R12ME7B11 1200 V/300 A IGBT半橋 模塊,EconoDUAL? 3 1200 V,300 A 雙 TRENCHSTOP? IGBT7 具有發(fā)射極控制的 7 個(gè)二極管、NTC 和 按FIT 接觸技術(shù)。
規(guī)格
IGBT 類型 溝槽型場(chǎng)截止
配置 2 個(gè)獨(dú)立式
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 300 A
功率 - 最大值 20 mW
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) 1.75V @ 15V,300A
電流 - 集電極截止(最大值) 20 μA
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies) 46 nF @ 25 V
輸入 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻 是
工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應(yīng)商器件封裝 AG-ECONOD
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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