商品名稱:STM32H7B3LIH6Q
數(shù)據(jù)手冊:STM32H7B3LIH6Q.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TFBGA225
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2880 件
STM32H7B3LIH6Q器件基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達280 MHz。Cortex?-M7內(nèi)核具有浮點單元(FPU),支持Arm?雙精度(符合IEEE 754)和單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。器件支持全套DSP指令和內(nèi)存保護單元(MPU),以提高應用安全性。
產(chǎn)品屬性
系列: STM32H7
核心處理器: ARM? Cortex?-M7
內(nèi)核規(guī)格: 32 位單核
速度: 280MHz
連接能力: 攝像頭,CANbus,EBI/EMI,HDMI-CEC,I2C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,PSSI,SAI,SPDIF,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG
外設 :欠壓檢測/復位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù): 168
程序存儲容量: 2MB(2M x 8)
程序存儲器類型: 閃存
EEPROM 容量: -
RAM 大?。?1.4M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd): 1.62V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉換器: A/D 20x16b; D/A 3x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼:225-TFBGA
供應商器件封裝:225-TFBGA(13x13)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
LFQFP-100
1300
M16C/60 M16C? M16C/60/65 微控制器 IC 16 位 32MHz 768KB (768K x 8) FLASH 100-LFQFP (14x14)
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導體(STMicroelectronics)設計生產(chǎn)的 32 位微控制器,采用 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,工作頻率高達 72MHz,具有高性能和低功耗的特點,適用于多種應用場景。SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車微控制器,基于 Power Architecture 技術,專為汽車動力系統(tǒng)應用設計。STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導體(STMicroelectronics)推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的 32 位微控制器,具有高性能、低功耗和豐富的外設接口,適用于多種嵌入式應用。STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅動器,采用簡潔卻堅固的設計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應用場景,如工業(yè)控制、電機驅動、電力轉換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術,確保在開關性能和低導通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術使得STGB10NC60HDT4在導通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗У南右?,恢復特性非常軟且快?。其技術規(guī)格和應用領域如下:技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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