商品名稱:FF1000R17IE4B60
數(shù)據(jù)手冊:FF1000R17IE4B60.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:Module
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FF1000R17IE4B60 是 1700 V、1000 A 半橋雙 IGBT 模塊,配有 TRENCHSTOP? IGBT4、NTC 和快速開關(guān)芯片。還可提供預(yù)涂熱界面材料。
特點(diǎn)
擴(kuò)展工作溫度 Tvj op
高直流穩(wěn)定性
高電流密度
開關(guān)損耗低
Tvj op = 150°C
低 VCEsat
CTI > 400 的封裝
高爬電距離和間隙距離
高功率和熱循環(huán)能力
銅底板
UL 認(rèn)證
優(yōu)點(diǎn)
高功率密度
標(biāo)準(zhǔn)化外殼
應(yīng)用
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器
輸配電
風(fēng)能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
Module
2000
IGBT 模塊 溝槽現(xiàn)場停止 2 獨(dú)立 1200 V 600 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…電話咨詢:86-755-83294757
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