商品名稱:NCP81523MNTXG
數(shù)據(jù)手冊:NCP81523MNTXG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:52-VFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCP81523MNTXG是一款雙軌四加一相降壓解決方案針對英特爾 IMVP9.1 CPU 進行了優(yōu)化。多相軌控制系統(tǒng)基于雙邊緣脈寬調(diào)制 (PWM)與 DCR 電流檢測相結(jié)合。這提供了超快的對動態(tài)負(fù)載事件作出超快的初始響應(yīng),并降低了系統(tǒng)成本。具有超低偏移電流監(jiān)控放大器,可對高精度電流進行可編程偏移補償。
功能
● 電壓范圍 4.5 V 至 21 V
● 啟動到預(yù)充電負(fù)載,同時避免錯誤 OVP
● 數(shù)字軟啟動斜坡
● 可調(diào) Vboot
● 高阻抗差分輸出電壓放大器
● 支持雙 VID 表,與 IMVP9.1 兼容
● 支持大電流擴展
● 動態(tài)基準(zhǔn)注入
● 可編程輸出電壓壓擺率
● 動態(tài) VID 前饋
● 每個相位的差分電流檢測放大器
● 可編程自適應(yīng)電壓定位 (AVP)
● 可調(diào)開關(guān)頻率范圍
● 數(shù)字穩(wěn)定開關(guān)頻率
● 超音速運行
● 支持聲學(xué)降噪功能
● 支持 VCCIN_AUX IMON 輸入
● PSYS 輸入監(jiān)控器(SVID 地址 0D)
● 符合 Intel IMVP9.1 規(guī)范
● 電流模式雙邊緣調(diào)制,實現(xiàn)對瞬態(tài)負(fù)載的快速初始響應(yīng)
● 這是一款無鉛器件
應(yīng)用
● 臺式機、筆記本電腦和超極本電腦
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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