商品名稱:STM32H757XIH6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32H757XIH6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TFBGA240
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3884 件
STM32H757XIH6器件基于高性能Arm? Cortex?-M7和Cortex?- M4 32位RISC內(nèi)核。Cortex?-M7內(nèi)核工作頻率高達(dá)480 MHz,Cortex?- M4內(nèi)核工作頻率高達(dá)240 MHz。這兩個(gè)內(nèi)核都有一個(gè)浮點(diǎn)單元(FPU),支持Arm?單精度和雙精度(Cortex?-M7內(nèi)核)操作和轉(zhuǎn)換(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn)),包括一整套DSP指令和一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),以提高應(yīng)用的安全性。
規(guī)格
核心處理器: ARM? Cortex?-M4/M7
內(nèi)核規(guī)格: 32 位雙核
速度: 240MHz,480MHz
連接能力: CANbus,EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG
外設(shè) :欠壓檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):168
程序存儲(chǔ)容量: 2MB(2M x 8)
程序存儲(chǔ)器類型: 閃存
EEPROM 容量: -
RAM 大小:1M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :1.62V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 28x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼 :265-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝:240+25-TFBGA (14x14)
基本產(chǎn)品編號(hào): STM32H757
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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