商品名稱:STPSC10H065DLF
品牌:ST
年份:23+
封裝:PowerFLAT 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STPSC10H065DLF這款 10 A、650 V SiC 二極管是一款超高性能功率肖特基二極管。它采用碳化硅襯底制造。由于采用了寬帶隙材料,因此可以設計出額定電壓為 650 V 的肖特基二極管結構。由于采用了肖特基結構,因此在關斷時不會出現(xiàn)恢復,振鈴模式也可以忽略不計。最小電容關斷行為與溫度無關。采用 PowerFLAT 8x8 HV 扁平封裝,可在電信和網絡、工業(yè)或可再生能源等低空間環(huán)境中實現(xiàn)與高浪涌能力相關的低正向壓降。
產品屬性
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
電流 - 平均整流 (Io):10A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.55 V @ 10 A
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
反向恢復時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100 μA @ 650 V
不同 Vr、F 時電容:595pF @ 0V,1MHz
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C
應用
● 升壓 PFC
● 自舉二極管
● LLC 箝位功能
● 高頻逆變器應用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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STM32L073RZI6
STM32L073RZI6是一款超低功耗的Arm Cortex-M0+ 32位微控制器,其運行頻率為32MHz,提供高達0.95 DMIPS/MHz的性能?。該微控制器非常適合采用電池或電能采集供電的應用。技術規(guī)格STM32L073RZI6單片機的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M0+內核規(guī)格:32 位單核速度:…STM32L062K8T6
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STM32L443CCY6器件是一款基于80 Mhz Arm Cortex-M4內核的32位超低功耗微控制器,具有256KB 閃存以及64KB RAM,廣泛應用于需要高精度計算和低功耗的嵌入式系統(tǒng)。技術規(guī)格STM32L443CCY6的主要規(guī)格包括:核心處理器:ARM Cortex-M4內核規(guī)格:32 位單核速度:80MHz連接能力:…電話咨詢:86-755-83294757
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