APTM50AM38SCTG 碳化硅 (SiC) 模塊將強大的陣列或技術集成在一個封裝中，經過優(yōu)化可提高可靠性和效率，節(jié)省空間以及縮短裝配時間?，F成的標準模塊產品線涵蓋多種電路拓撲、半導體產品，包括碳化硅、額定電壓和電流以及封裝。通過特定應用的電源模塊 (ASPM?) 可以滿足獨特的要求。
產品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：2 個 N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：500V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：246nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11200pF @ 25V
功率 - 最大值：694W
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：SP4
供應商器件封裝：SP4
應用
●焊接
●太陽能
●感應加熱
●醫(yī)療設備
●UPS
●電機控制
●開關模式電源
●國防和航空航天
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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