APTM50AM38SCTG 碳化硅 (SiC) 模塊將強大的陣列或技術集成在一個封裝中,經過優(yōu)化可提高可靠性和效率,節(jié)省空間以及縮短裝配時間?,F成的標準模塊產品線涵蓋多種電路拓撲、半導體產品,包括碳化硅、額定電壓和電流以及封裝。通過特定應用的電源模塊 (ASPM?) 可以滿足獨特的要求。
產品屬性
技術:碳化硅(SiC)
配置:2 個 N 通道(半橋)
漏源電壓(Vdss):500V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):90A
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):246nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):11200pF @ 25V
功率 - 最大值:694W
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP4
供應商器件封裝:SP4
應用
●焊接
●太陽能
●感應加熱
●醫(yī)療設備
●UPS
●電機控制
●開關模式電源
●國防和航空航天
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 337A(Tc),317A(Tc) 1.492kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 472A(Tc),442A(Tc) 1.846kW(Tc),1.161kW(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V(1.7kV),1200V(1.2kV) 124A(Tc),89A(Tc) 602W(Tc),395W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 317A(Tc),227A(Tc) 1.253kW(Tc),613W(Tc) 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V(1.2kV),700V 89A(Tc),124A(Tc) 395W(Tc),365W(Tc) 底座安裝
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關注嵌入控制半導體產品市…
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AT91SAM7SE512B-AU是一款基于ARM7核心處理器的嵌入式微控制器,屬于SAM7SE系列?。其核心尺寸為16/32位,工作速度為55MHz,具有豐富的連接性和外圍設備功能。性能參數AT91SAM7SE512B-AU微控制器的參數包括:核心處理器:ARM7內核規(guī)格:16/32-位速度:55MHz連接能力:EBI/…電話咨詢:86-755-83294757
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