商品名稱:GHXS060B120S-D3
品牌:SemiQ
年份:24+
封裝:SOT-227
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來提高性能。SiC肖特基二極管模塊設(shè)計用于低損耗和EMI噪聲,具有低結(jié)殼熱阻。
器件:GHXS060B120S-D3
類型:SiC肖特基二極管模塊
電壓:1200V
封裝:SOT-227
優(yōu)勢
高頻工作時的出色性能
低損耗和低EMI噪聲
非常堅固且易于安裝
直接安裝到散熱器上(隔離封裝)
低結(jié)至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數(shù),易于并聯(lián)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
DC電源設(shè)備
感應(yīng)加熱器
焊接設(shè)備
充電站
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SemiQ 設(shè)計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識,其中包括子系統(tǒng)設(shè)計和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場:電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊,提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):113…GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅固和易于安裝的特點。該模塊在175C結(jié)溫下工作,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功…GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。器件:GCMX010A120B3B1P類型:SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)…GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 N 溝道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個配置有2 個 N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。產(chǎn)品屬性技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:碳化硅(SiC)漏源…GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊,其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運行。規(guī)格技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET …電話咨詢:86-755-83294757
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