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IGW50N60TFKSA1硬開關(guān) 600 V、50 A 單 TRENCHSTOP? IGBT3 采用 TO-247 封裝，由于結(jié)合了溝槽單元和場截止概念，該器件的靜態(tài)和動態(tài)性能均有顯著提高。IGBT 與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管的結(jié)合進(jìn)一步降低了開通損耗。由于在開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間實(shí)現(xiàn)了最佳折衷，因此達(dá)到了最高效率。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：150 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A

功率 - 最大值：333 W

開關(guān)能量：2.6mJ

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：310 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：26ns/299ns

測試條件：400V，50A，7 歐姆，15V

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3-1

應(yīng)用

● 不間斷電源系統(tǒng) (UPS)

● 混合動力/電動車

● 電機(jī)/運(yùn)動控制

● 電網(wǎng)-1（配電站）

● 電網(wǎng)-2（太陽能發(fā)電）

● 電網(wǎng)-3（風(fēng)力發(fā)電）

● X 光機(jī)

● CT與核磁共振成像(MRI)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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