商品名稱:微控制器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:VFQFN-48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
TLE9855QXXUMA2 - Arm? Cortex?-M0 微控制器,帶 LIN 和 H 橋 NFET 驅(qū)動(dòng)器,適用于汽車應(yīng)用
零件編號(hào):TLE9855QXXUMA2
封裝: VFQFN-48
類型:32 位單核微控制器
詳細(xì)描述:ARM? Cortex?-M0 - 微控制器 IC 32 位單核 40MHz 96KB(96K x 8) 閃存 PG-VQFN-48-31
產(chǎn)品概覽
TLE9855QXXUMA2 屬于 MOTIX? TLE985x 英飛凌嵌入式電源 IC 產(chǎn)品系列。這款單芯片兩相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 Arm? Cortex?-M0 內(nèi)核和 NFET 驅(qū)動(dòng)器。這款片上系統(tǒng)解決方案包括四個(gè)完全集成的 NFET 驅(qū)動(dòng)器,經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可通過(guò)四個(gè)外部功率 NFET、一個(gè)可實(shí)現(xiàn)低電壓操作的電荷泵、可編程電流以及電流斜率控制來(lái)驅(qū)動(dòng) 2 相電機(jī),從而優(yōu)化電磁兼容性。
功能概述
32 位 Arm? Cortex? - M0 內(nèi)核,頻率高達(dá) 40 MHz
5.5 V 至 28 V 單電源供電
閃存 96 KB,RAM 高達(dá) 4 KB
1x LIN 收發(fā)器
2x UART,2x SSC
帶電荷泵和 PWM 發(fā)生器的 2 相橋式驅(qū)動(dòng)器
1 個(gè)低端并聯(lián)電流檢測(cè)放大器
1 個(gè) 10 位 ADC/12 ch 和 1 個(gè) 8 位 ADC/9 ch
9 個(gè) 16 位定時(shí)器,1 個(gè) 24 位定時(shí)器
溫度范圍 Tj:-40°C 至 150°C
采用 VQFN-48 封裝,應(yīng)用占用空間極小
應(yīng)用
柴油直噴
帶車內(nèi)照明和環(huán)境照明控制功能的車頂控制模塊
分動(dòng)箱無(wú)刷直流
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開關(guān),屬于多通道功率開關(guān)IC,專為 汽車電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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