商品名稱:N 溝道MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BSC088N15LS5具有 8.8/12 mOhm 的超低 RDS(on)(VGS = 10 V/4.5 V)和 21 nC 的超低 Qg(VGS = 4.5 V),采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SuperSO8 封裝,可在小型輕量的 USB-PD EPR 充電器和適配器應(yīng)用中實現(xiàn)最佳熱管理。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):11.7A(Ta),87A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):8.8 毫歐 @ 46A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 107μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):26 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3500 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),139W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IDW10G120C5B
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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