IKY120N65EH7XKSA1 采用高速、低飽和電壓 650 V TRENCHSTOP? IGBT7 技術，內置軟快速恢復發(fā)射極受控 7 二極管。
特點
采用著名的 TRENCHSTOP? 技術，具有出色的 VCE（飽和）性能
非常軟、快速恢復的反并聯二極管
最大 Tj 為 175°C
針對硬開關、兩級和三級拓撲結構進行了優(yōu)化
優(yōu)勢
額定電流高達 150 A 的高功率密度技術
優(yōu)化應用條件下的性能
最低傳導損耗
最低開關損耗
惡劣環(huán)境下的耐濕性
改進的 EMI 性能
應用
電動汽車充電
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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