商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
E3M0013120K是一款1200 V, 13 mΩ第三代分立碳化硅MOSFET,采用 TO-247-4 封裝。
Wolfspeed E系列汽車用碳化硅功率MOSFET是符合汽車標(biāo)準(zhǔn)、具有PPAP功能的N通道增強(qiáng)模式、耐濕MOSFET。這些MOSFET具有低開關(guān)損耗和高品質(zhì)因數(shù)。E系列MOSFET經(jīng)過優(yōu)化適用于EV汽車電池充電器和高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。這些MOSFET用于電機(jī)控制、傳動(dòng)系牽引逆變器和光伏逆變器。
特性
第三代碳化硅MOSFET技術(shù)
降低開關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
系統(tǒng)效率高
功率密度更高
系統(tǒng)開關(guān)頻率更高,電容低
高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻
快速體二極管,具有低反向恢復(fù)特性
漏極和源極之間的大爬電距離
符合汽車標(biāo)準(zhǔn) (AEC-Q101),具有PPAP功能
無鹵,符合RoHS指令
應(yīng)用
EV充電
DC-DC轉(zhuǎn)換器
SMPS
UPS
太陽能光伏逆變器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認(rèn)證的SiC 功率模塊,主要用于感應(yīng)加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動(dòng)汽車快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):530…CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V,100A的T型工業(yè)級(jí)碳化硅(SiC)模塊,主要用于工業(yè)領(lǐng)域,特別是需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合各種工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格:技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 個(gè) N 通…CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅(SiC)功率模塊,由Wolfspeed公司生產(chǎn),主要用于各種工業(yè)應(yīng)用,特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個(gè) N 通道(半橋)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V…HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點(diǎn)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計(jì)超低損耗、高頻運(yùn)行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…電話咨詢:86-755-83294757
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