商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：Wolfspeed
年份：24+
封裝：TO-263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
C3M0032120J2是一款1200 V, 32 mΩ, 74 A第三代分立碳化硅MOSFET，采用表面貼裝 TO-263-7 封裝。
Wolfspeed的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列基于第三代技術(shù)，針對高功率應用進行了優(yōu)化，如UPS、電機控制和驅(qū)動、開關(guān)模式電源、太陽能和儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器等。
特性
整個溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定的RDS(ON)
提供帶獨立開爾文源引腳的封裝選項
極快切換
減少對散熱器的需求
應用
太陽能逆變器和儲能
車載快速DC電動汽車充電系統(tǒng)
電機控制和驅(qū)動
焊接和感應加熱
輔助電源
高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用，如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…
HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認證的SiC 功率模塊，主要用于感應加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：530…
CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V，100A的T型工業(yè)級碳化硅（SiC）模塊，主要用于工業(yè)領(lǐng)域，特別是需要高性能、高可靠性的應用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色，適合各種工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 個 N 通…
CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅（SiC）功率模塊，由Wolfspeed公司生產(chǎn)，主要用于各種工業(yè)應用，特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù)：技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個 N 通道（半橋）FET 功能：-漏源電壓（Vdss）：1200V…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600（I 類材料）符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…
CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊，帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼，可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…電話咨詢：86-755-83294757
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