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CY15V104QI-20BFXI是一款采用先進鐵電工藝的低功耗 4-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 EXCELON? LP F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠數據保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和 EEPROM 不同，CY15X104QI 以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產生寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸到器件后，數據立即寫入存儲器陣列。無需數據輪詢，即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有很強的寫入耐用性。CY15X104QI 能夠支持 1015 次讀寫周期，寫入次數是 EEPROM 的 1 億倍。

這些功能使 CY15X104QI 成為需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用的理想選擇。例如，在數據采集應用中，寫入周期的次數可能至關重要；在要求苛刻的工業(yè)控制應用中，串行閃存或 EEPROM 較長的寫入時間可能會導致數據丟失。

CY15V104QI-20BFXI器件參數：

類別：存儲器存儲器  

包裝： 托盤  

零件狀態(tài)： 在售  

存儲器類型： 非易失  

存儲器格式： FRAM  

技術： FRAM（鐵電體 RAM）  

存儲容量： 4Mb  

存儲器組織：512K x 8  

存儲器接口： SPI  

時鐘頻率： 20 MHz  

訪問時間： 20 ns  

電壓 - 供電： 1.71V ~ 1.89V  

工作溫度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼 ：8-UFLGA  

供應商器件封裝： 8-UFLGA（3.28x3.23） 

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