商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
英飛凌 CoolSiC? MOSFET 400 V G2 將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。其開發(fā)目的是在 2 級(jí)和 3 級(jí)硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。
特性描述
與 650 V SiC MOSFET 相比,F(xiàn)OM 更好
具有低 Qfr 的快速換向穩(wěn)健二極管
低 RDS(導(dǎo)通)溫度依賴性
柵極閾值電壓 VGS(th) = 4.5 V
支持單極驅(qū)動(dòng)(VGSoff=0)
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
開關(guān)速度可控性高
高 dV/dt 工作期間過(guò)沖小
.XT 互聯(lián)技術(shù)
一流的散熱性能
IMT40R015M2H—CoolSiC? MOSFET 400 V G2,采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封裝,15 mΩ
參數(shù)
ID (@25°C) 最大值: 111 A
最低和最高工作溫度: -55 °C 175 °C
封裝: PG-HSOF-8
極性: N
認(rèn)證: 工業(yè)級(jí)
RDS (on) (@ Tj = 25°C) :15 mΩ
RthJC: 最大 0.44 K/W
VDS: 最大 400 V
適用于人工智能服務(wù)器 PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲(chǔ)能以及 D 類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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