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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):IMBG40R045M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:TO-263-7

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMBG40R045M2H
封裝
TO-263-7
描述
碳化硅 MOSFET 單管 400 V G2,45 mΩ 采用D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝

產(chǎn)品描述

IMBG40R045M2H是一款采用D2PAK-7 (TO-263-7) 封裝的400 V G2,45 mΩ碳化硅MOSFET分立器件。


Infineon CoolSiC? 400 V G2 MOSFET兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻,同時(shí)降低了系統(tǒng)成本。開發(fā)用于在2級(jí)和3級(jí)硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。


400 V CoolSiC? MOSFET特別適用于人工智能服務(wù)器電源單元(PSU)的交流/直流轉(zhuǎn)換階段,也非常適用于太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用。


功能

與650V SiC MOSFET相比,F(xiàn)OM更好

具有低Qfr的快速換向魯棒二極管

低RDS(on)溫度依賴性

柵極閾值電壓,VGS(th) = 4.5 V

支持單極性驅(qū)動(dòng)(VGSoff=0)

100%雪崩測(cè)試

開關(guān)速度可控性高

高dV/dt工作期間的低過沖

.XT 互連技術(shù)

同類最佳的散熱性能


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

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LSIC1MO120G0025

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NTBL023N065M3S

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H-PSOF-8

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MSC060SMA070SA

Microchip

TO-263-7

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MSC040SMA120SD

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MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH80N120L2KHV

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IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

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常見問題

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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