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最新的 STGWA40HP65FB2 IGBT 650 V HB2 系列代表了先進的專有溝槽柵場停結構的發(fā)展。由于在低電流值時具有更好的 VCE（飽和）特性，HB2 系列在傳導方面的性能得到了優(yōu)化，同時還降低了開關能量。一個僅用于保護目的的二極管與 IGBT 反并聯封裝。因此，該產品專門設計用于最大限度地提高各種快速應用的效率。

功能

最高結溫：TJ = 175 °C

低 VCE(sat) = 1.55 V（典型值） @ IC = 40 A

共封裝保護二極管

尾電流最小

嚴格的參數分布

熱阻低

正 VCE（飽和）溫度系數

產品屬性

制造商: STMicroelectronics

產品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

技術: Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.55 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 72 A

Pd-功率耗散: 227 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 72 A

柵極—射極漏泄電流: 250 nA

工廠包裝數量: 600

單位重量: 6.100 g

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